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VS-GT200TS065N
MÃDULO IGBT, VISHAY VS-GT200TS065N
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVS-GT200TS065NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark11AM8542
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $92.120 |
| 5+ | $86.920 |
| 10+ | $81.710 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVS-GT200TS065NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark11AM8542
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua193A
Voltaje de Saturación Colector Emisor-
Disipación de Potencia517W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorINT-A-PAK
Terminación del IGBTScrew
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Voltaje de Saturación Colector Emisor
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Screw
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench]
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
193A
Disipación de Potencia
517W
Diseño de Transistor
INT-A-PAK
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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