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SKIM429GD17E4HD
Módulo IGBT, 595 A, 1.7 kV, 175 °C
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKIM429GD17E4HDCopiar
No. Parte Newark77R2504
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semanas
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKIM429GD17E4HDCopiar
No. Parte Newark77R2504
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBT-
Corriente de Colector DC595A
Corriente del Colector Continua595A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7kV
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.7kV
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.1V
Diseño de Transistor-
No. de Pines32Pines
Terminación del IGBTEncaje a Presión
Tecnología IGBT-
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.1V
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente de Colector DC
595A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7kV
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.1V
No. de Pines
32Pines
Tecnología IGBT
-
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT
-
Corriente del Colector Continua
595A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.7kV
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Diseño de Transistor
-
Terminación del IGBT
Encaje a Presión
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.1V
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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