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SKIM459GD12E4
Módulo IGBT, Paquete de Seis [Puente Completo], 554 A, 1.2 kV, 175 °C
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FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKIM459GD12E4
No. Parte Newark77R2505
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 26 semanas
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKIM459GD12E4
No. Parte Newark77R2505
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTPaquete de Seis [Puente Completo]
Corriente del Colector Continua554A
Corriente de Colector DC554A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.2kV
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo800mV
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Diseño de Transistor-
No. de Pines33Pines
Terminación del IGBTEncaje a Presión
Voltaje Máx. Colector a Emisor800mV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Zanja]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
554A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
800mV
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
No. de Pines
33Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
800mV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT
Paquete de Seis [Puente Completo]
Corriente de Colector DC
554A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.2kV
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Diseño de Transistor
-
Terminación del IGBT
Encaje a Presión
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Zanja]
Rango de Producto
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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