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QSB363
Fototransistor, 940 nm, 12 °, 75 mW, 2 Pines
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $0.257 |
| 3000+ | $0.242 |
| 10000+ | $0.217 |
Precio para:Cada
Mínimo: 2000
Múltiple: 1000
$514.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteQSB363
No. Parte Newark52F8731
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.940
Ángulo de Visión12
Consumo de Potencia75
No. de Pines2Pines
Diseño de Transistor-
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
940
Consumo de Potencia
75
Diseño de Transistor
-
Norma de Cualificación Automotriz
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Ángulo de Visión
12
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto