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Información del producto
FabricanteBROADCOM
No. Parte FabricanteHSMS-2802-TR1G
No. Parte Newark63J9476
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoSerie doble
Voltaje Reverso70V
Corriente Directa1A
Voltaje Directo410mV
Voltaje Directo VF Máx.410mV
Capacitancia del Diodo2pF
Estilo de la Carcasa del DiodoSOT-23
No. de Pines3 Pines
Montaje del DiodoSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Resumen del producto
The HSMS-2802-TR1G is a 3-pin dual surface-mount RF Schottky Barrier Diode for both analogue and digital applications. The HSMS-280x family has the highest breakdown voltage, but at the expense of a high value of series resistance (Rs). In applications which do not require high voltage the HSMS-282x family, with a lower value of series resistance, will offer higher current carrying capacity and better performance.
- High breakdown voltage
- Low FIT (failure in time) rate
- Six-sigma quality level
- 35Ω Typical dynamic resistance
- 500°C/W Thermal resistance
- 150°C Junction temperature
Advertencias
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Serie doble
Corriente Directa
1A
Voltaje Directo VF Máx.
410mV
Estilo de la Carcasa del Diodo
SOT-23
Montaje del Diodo
Surface Mount
Rango de Producto
-
Voltaje Reverso
70V
Voltaje Directo
410mV
Capacitancia del Diodo
2pF
No. de Pines
3 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
