HMC739LP4E

El HMC739LP4E es un transistor bipolar de heterounión (HBT) GaAs InGaP MMIC VCO. El HMC739LP4(E) integra un resonador, un dispositivo de resistencia negativa, un diodo varactor y un preescalador de división por 16. El rendimiento de ruido de fase del VCO es excelente sobre la temperatura, el choque y el proceso debido a la estructura monolítica del oscilador. La aplicación típica incluye radios punto a punto, radios punto a multipunto/LMDS, VSAT.

• No se necesita resonador externo
• Rango de frecuencia de 23.8 a 26.8GHz (Fo, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• La potencia de salida es de 3dBm (mín., RF OUT, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• Ruido de fase de SSB a 100 KHz de compensación, Vtune = +5 V en la salida de RF es -93 dBc/Hz (típico, TA = +25 °C)
• Rango de voltaje de sintonización de 1 a 13V (TA = +25 °C, Vcc (RF), Vcc (DIG) = +5V)
• La corriente de suministro es de 200mA (típico, Icc (RF), Icc (DIG), TA = +25 °C, Vcc (RF), Vcc (DIG) = +5V)
• La corriente de fuga del puerto de sintonización (Vtune= 13V) es de 10µA (máx., TA = +25 °C, Vcc (RF), Vcc (DIG) = +5 V)
• La pérdida de retorno de salida es de 3dB (típico, TA = +25°C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• La tasa de deriva de frecuencia es de 4MHz/°C (típico, TA = +25 °C, Vcc(RF), Vcc(DIG) = +5V)
• Paquete SMD de 24 derivaciones, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a +85°C

Notas

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