HMC659LC5TR

El HMC659LC5 es un amplificador de potencia distribuido GaAs MMIC pHEMT. Este amplificador proporciona 19dB de ganancia, +35dBm de salida IP3 y +27.5dBm de potencia de salida con una compresión de ganancia de 1dB, mientras requiere 300mA de una fuente de +8V. La uniformidad de la ganancia es excelente a ±1.4dB desde CD - 15GHz, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de EW, ECM, radar y equipos de prueba. Las E/S de este amplificador se adaptan internamente a 50 ohms sin componentes externos. Es compatible con técnicas de fabricación de montaje superficial de alto volumen. Se utiliza en aplicaciones tales como infraestructura de telecomunicaciones, radio por microondas y VSAT, militar y espacial, instrumentación de prueba, fibra óptica, etc.

• La uniformidad de la ganancia es de ±0.7dB típica a (CD - 6 GHz, TA = +25 °C)
• La variación de ganancia sobre la temperatura es 0.015dB/°C típica en (DC - 6GHz, TA = +25°C)
• Pérdida de retorno de entrada 20dB típico en (CD - 6GHz, TA = +25°C)
• Pérdida de retorno de salida típ. de 19 dB a (CC - 6 GHz, TA = +25 °C)
• La potencia de salida saturada (Psat) es 28dBm típ.en (CD - 6GHz, TA = +25°C)
• La cifra de ruido es de 3dB típica a (CD - 6 GHz, TA = +25 °C)
• La temperatura de funcionamiento es de -40°C a 85°C
• El estilo del paquete es QFN de 32 terminales

Notas

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