HMC659LC5

El HMC659LC5 es un amplificador de potencia distribuido GaAs MMIC pHEMT. Las E/S de este amplificador se adaptan internamente a 50 ohms sin componentes externos. El HMC659LC5 es compatible con técnicas de fabricación de montaje en superficie de alto volumen. La aplicación típica incluye infraestructura de telecomunicaciones, radio por microondas y VSAT, militar y espacial, instrumentación de prueba, fibra óptica.

• Rango de frecuencia de 6 a 11GHz (típ., TA = +25°C, Vdd= +8V, Vgg2= +3V)
• La ganancia es de 18dB (típico, TA = +25°C, Vdd= +8V, Vgg2= +3V, 6 a 11GHz)
• La variación de ganancia sobre la temperatura es de 0.019 dB/ °C (típico, TA = +25 °C, Vdd = +8 V, Vgg2 = +3V, 6 a 11 GHz)
• La pérdida de retorno de entrada es de 18 dB (típico, TA = +25 °C, Vdd = +8V, Vgg2 = +3V, 6 a 11GHz)
• La pérdida de retorno de salida es de 20dB (típico, TA = +25 °C, Vdd = +8 V, Vgg2 = +3 V, 6 a 11 GHz)
• La potencia de salida para la compresión de 1dB es 27.5dBm (típico, TA = +25°C, Vdd= +8V, Vgg2= +3V, 6 a 11GHz)
• La cifra de ruido es de 2.5dB (típico, TA = +25 °C, Vdd = +8 V, Vgg2 = +3V, de 6 a 11GHz)
• La corriente de alimentación (Idd) (Vdd= 8V, Vgg1= -0.8V típ.) es de 300mA (típ, TA = +25 °C)
• Paquete LFCSP-EP de 32 terminales, rango de temperatura de funcionamiento de -40 a +85°C

Notas

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