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DS1230AB-120IND+
SRAM no Volátil (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8bit, Lect./Escr. 120ns, Paralelo, 4.75V a 5.25V, EDIP-28
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FabricanteANALOG DEVICES
No. Parte FabricanteDS1230AB-120IND+
No. Parte Newark68AC5059
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Información del producto
FabricanteANALOG DEVICES
No. Parte FabricanteDS1230AB-120IND+
No. Parte Newark68AC5059
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Densidad de Memoria256
Configuración de Memoria32K x 8bit
Organización de Memoria0
Tiempo de Acceso de Lectura120
Tiempo de Acceso de Escritura120
Tensión de Alimentación Mín.4.75
Tensión de Alimentación Máx.5.25
Estuche / Paquete CIeDIP
Memoria, Tipo0
No. de Pines28Pines
Tipo de Interfaz IC0
InterfacesParallel
IC, MontajeThrough Hole
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza DS1230AB-120IND+
3 productos encontrados
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración de Memoria
32K x 8bit
Tiempo de Acceso de Lectura
120
Tensión de Alimentación Mín.
4.75
Estuche / Paquete CI
eDIP
No. de Pines
28Pines
Interfaces
Parallel
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Densidad de Memoria
256
Organización de Memoria
0
Tiempo de Acceso de Escritura
120
Tensión de Alimentación Máx.
5.25
Memoria, Tipo
0
Tipo de Interfaz IC
0
IC, Montaje
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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