ADRF5132BCPZN

ADRF5132 es un interruptor reflectante de silicio, unipolar y de dos vías (SPDT), reflectante, de alta potencia, de 0.7GHz a 5GHz. Este conmutador es ideal para aplicaciones de infraestructura celular y de alta potencia, como estaciones base de evolución a largo plazo (LTE). Tiene un manejo de alta potencia de 35dBm LTE (promedio típico a 105 °C), una baja pérdida de inserción de 0.6dB a 2.7GHz, intercepción de entrada de tercer orden de 65dBm (típico) y compresión de 0.1dB (P0.1dB) de 42.5 El circuito en chip funciona con un voltaje de suministro único y positivo de 5V y una corriente de suministro típica de 1.1mA, lo que convierte al dispositivo en una alternativa ideal a los interruptores basados en diodos pin. Se utiliza en aplicaciones como infraestructura celular/4G, infraestructura inalámbrica, aplicaciones militares y de alta confiabilidad, equipos de prueba, reemplazo de diodos pin, etc.

• Diseño reflectante de 50 ohms.
• Manejo de alta potencia a TCASE = 105 °C, a largo plazo (<gt/>10 años de funcionamiento)
• La potencia máxima es de 43dBm como máximo a (VDD = 5V, VCTL = 0 V o VDD, TA = 25 °C)
• La potencia CW es de 38 dBm como máximo a (VDD = 5V, VCTL = 0 V o VDD, TA = 25 °C)
• La potencia promedio de LTE (PAR de 8dB) es de 35dBm como máximo a (VDD = 5V, VCTL = 0 V o VDD, TA = 25 °C)
• Las clasificaciones ESD son HBM: 2KV, clase 2, MDL: 1.25KV
• El suministro positivo único es de 5V, control positivo, compatible con CMOS/TTL
• La corriente de suministro es de 1.1mA tipo a (VDD = 5V, TA = 25 °C)
• La temperatura de funcionamiento es de -40°C a +105°C
• El estilo de empaque es escala de chip de marco de plomo de 16 terminales [LFCSP]

Notas

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