ADG1201BRJZ-R2

El ADG1201 es un dispositivo semiconductor de óxido de metal complementario monolítico (CMOS) que contiene un interruptor de un solo polo y un solo tiro (SPST) diseñado en un proceso iCMOS®. iCMOS es un proceso de fabricación modular que combina un CMOS de alto voltaje y tecnologías bipolares. iCMOS permite el desarrollo de una amplia gama de circuitos integrados analógicos de alto rendimiento capaces de operar a 33 V en un espacio que ninguna generación anterior de dispositivos de alto voltaje ha podido lograr. A diferencia de los circuitos integrados analógicos que utilizan procesos CMOS convencionales, los componentes iCMOS pueden tolerar altos voltajes de suministro al tiempo que brindan un mayor rendimiento, un consumo de energía significativamente menor y un tamaño de paquete reducido. Se utiliza en aplicaciones tales como equipos de prueba automáticos, sistemas de adquisición de datos, sistemas alimentados por batería, sistemas de muestreo y retención, enrutamiento de señales de audio, enrutamiento de señales de video, sistemas de comunicación, etc.

• Capacitancia típica de la fuente del interruptor de apagado de 2.4pF
• La inyección de carga es típica de 0.8pC a (VS = 6 V, RS = 0ohm, CL = 1nF)
• La corriente de fuga baja es de 0.6nA como máximo a 85 °C
• 120 ohms típicos en resistencia a 25°C, suministro dual
• Completamente especificado a ±15V, +12V
• No se requiere suministro de VL, entradas compatibles con lógica de 3V
• Operación riel-a-riel
• Ancho de banda típico de 660MHz -3dB
• La temperatura industrial de funcionamiento es de -40°C a +125°C
• El estilo del paquete es un transistor de contorno pequeño de 6 conductores [SOT-23]

Notas

Los productos ADI solo están autorizados (y vendidos) para su uso por parte del cliente y no deben revenderse ni transmitirse de otro modo a ningún tercero.