AS7C513B-12TCN

AS7C513B-12TCN es una SRAM CMOS de 5 V y 32 K×16. Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio estático (SRAM) CMOS de 524,288 bits de alto rendimiento organizado en 32,768 palabras × 16 bits. Está diseñado para aplicaciones de memoria donde se desea acceso rápido a datos, bajo consumo e interfaz sencilla. Los tiempos de ciclo y acceso a direcciones iguales (tAA, tRC, tWC) de 10/12/15/20ns con tiempos de acceso de habilitación de salida (tOE) de 5, 6, 7, 8ns son ideales para aplicaciones de alto rendimiento. La entrada de habilitación de chip CE activa-baja permite una fácil expansión de memoria con sistemas de memoria de múltiples bancos. El dispositivo proporciona múltiples pines centrales de alimentación y tierra, y controles de habilitación de bytes separados, lo que permite escribir y leer bytes individuales. La LB activa baja controla los bits inferiores, I/O0 – I/O7, y la UB activa baja controla los bits superiores, I/O8 – I/O15.

• Pines de alimentación y tierra centrales
• Alta velocidad, tiempo de acceso a la dirección de 10/12/15/20ns, tiempo de acceso de habilitación de salida de 5, 6, 7, 8ns
• Bajo consumo de energía, 605mW/máx. a 10ns activo, 55mW/máx. CMOS en espera
• Tecnología CMOS de 6 T y 0.18 u
• Fácil expansión de memoria con entradas CE activas bajas y OE activas bajas
• E/S de tres estados compatible con TTL y CMOS
• Paquetes estándar JEDEC de 44 pines
• La protección ESD es ≥2000volts, la corriente de enganche es ≥200mA
• Tiempo de acceso de 12ns, paquete TSOP 2
• Rango de temperatura comercial de 0 a 70°C