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AS6C6416-55TIN
SRAM, Asíncrono, 64 Mbit, 4M x 16bit, TSOP-I, 48 Pines, 2.7 V
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FabricanteALLIANCE MEMORY
No. Parte FabricanteAS6C6416-55TIN
No. Parte Newark82AK3853
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $34.480 |
| 5+ | $32.710 |
| 10+ | $30.740 |
| 25+ | $28.960 |
| 50+ | $26.990 |
| 100+ | $26.400 |
| 250+ | $25.610 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteALLIANCE MEMORY
No. Parte FabricanteAS6C6416-55TIN
No. Parte Newark82AK3853
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsíncrono
Densidad de Memoria64
Configuración de Memoria4M x 16bit
Estuche / Paquete CITSOP-I
No. de Pines48Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Tensión de Alimentación Nom.3
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
AS6C6416-55TIN es una SRAM CMOS de bajo consumo de 64Mbits (4Mx16). Es una memoria de acceso aleatorio estática CMOS de bajo consumo de 67.108.864 bits organizada en 4,194,304 palabras por 16 bits o 8,388,608 palabras por 8 bits. Está fabricado utilizando tecnología CMOS de muy alto rendimiento y alta confiabilidad. Su corriente de espera es estable dentro del rango de temperatura de funcionamiento. Está bien diseñado para aplicaciones de bajo consumo y es particularmente adecuado para aplicaciones de memoria no volátil con respaldo de batería.
- El tiempo de acceso rápido es de 55ns.
- Bajo consumo de energía: Corriente de funcionamiento: 12mA (típica), corriente de espera: 12µA (típica)
- Fuente de alimentación de 2.7V a 3.6V
- Todas las entradas y salidas son compatibles con TTL
- Operación completamente estática, salida triestado
- El voltaje de retención de datos es 1.2V (mínimo)
- Paquete TSOP I de 48 pines
- Rango de temperatura de operación de -40°C a +85°C
- La corriente de fuga de salida es de 1µA como máximo (VCC ≧ VOUT ≧ VSS, salida deshabilitada)
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asíncrono
Configuración de Memoria
4M x 16bit
No. de Pines
48Pines
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Densidad de Memoria
64
Estuche / Paquete CI
TSOP-I
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Tensión de Alimentación Nom.
3
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto