AS4C1M16S-7TCN

AS4C1M16S-7TCN es una DRAM síncrona (SDRAM) de 1M x 16 bits. La SDRAM de 16 Mb es una DRAM síncrona CMOS de alta velocidad con una capacidad de 16 Mbits. Internamente, está configurada como una DRAM dual de 512K palabras x 16 bits con una interfaz síncrona (todas las señales se registran en el flanco positivo de la señal de reloj, CLK). Cada uno de los bancos de 512K x 16 bits está organizado como 2048 filas por 256 columnas por 32 bits. Los accesos de lectura y escritura a la SDRAM están orientados a ráfagas; los accesos comienzan en una ubicación seleccionada y continúan durante una cantidad programada de ubicaciones en una secuencia programada. Los accesos comienzan con el registro de un comando BankActivate que luego es seguido por un comando de lectura o escritura. La memoria SDRAM ofrece longitudes de ráfaga de lectura o escritura programables de 1, 2, 4, 8 o páginas completas, con una opción de terminación de ráfaga. Es ideal para aplicaciones que requieren un gran ancho de banda de memoria y es particularmente adecuado para aplicaciones de PC de alto rendimiento.

• Modo de autorrefresco: estándar, arquitectura segmentada interna.
• 512K palabras x 16 bits x 2 bancos, actualización automática y autoactualización
• Registros de modo programable, latencia CAS: 2 o 3
• Tipo de ráfaga: secuencial o intercalada, función de detención de ráfaga
• Control individual de bytes mediante LDQM y UDQM, 4096 ciclos de actualización/64ms.
• Modo de bajo consumo CKE, fuente de alimentación estándar JEDEC de +3.3V ± 0.3V
• Interfaz LVTTL
• Frecuencia de 143MHz
• Paquete TSOPII de 50 pines
• Rango de temperatura comercial de 0 a 70°C