TSHF5410

Infrared Emitter, High Speed, 890 nm, 22 °, T-1 3/4 (5mm), 30 mW/Sr, 30 ns, 30 ns

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VISHAY TSHF5410
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteTSHF5410
Código Newark93K0964
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Informação do produto

FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteTSHF5410
Código Newark93K0964
Ficha técnica
Peak Wavelength890nm
Angle of Half Intensity22°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)30mW/Sr
Rise Time30ns
Fall Time tf30ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.4V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (16-Jan-2020)

Descrição geral do produto

The TSHF5410 is a 890nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared high speed remote control and free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements, transmission systems according to IrDA requirements and for carrier frequency based systems (e.g. ASK/FSK - coded, 450KHz or 1.3MHz).

  • High speed
  • High reliability
  • High radiant power
  • High radiant intensity
  • ϕ = ±22° Angle of half intensity
  • Low forward voltage
  • Suitable for high pulse current operation
  • Good spectral matching with Si photodetectors
  • 12MHz High modulation bandwidth (fc)

Especificações Técnicas

Peak Wavelength

890nm

Diode Case Style

T-1 3/4 (5mm)

Rise Time

30ns

Forward Current If(AV)

100mA

Operating Temperature Min

-40°C

Product Range

-

SVHC

No SVHC (16-Jan-2020)

Angle of Half Intensity

22°

Radiant Intensity (Ie)

30mW/Sr

Fall Time tf

30ns

Forward Voltage VF Max

1.4V

Operating Temperature Max

85°C

MSL

-

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Legislação e Ambiente

US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim

RoHS

Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim

RoHS

SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (16-Jan-2020)
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