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XP2P038N

MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Montaje Superficial

YAGEO XSEMI
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YAGEO XSEMI XP2P038N
FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP2P038N
No. Parte Newark70AK6938
Rango de ProductoXP2P038 Series
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Información del producto

YAGEO XSEMI
FabricanteYAGEO XSEMI
No. Parte FabricanteXP2P038N
No. Parte Newark70AK6938
Rango de ProductoXP2P038 Series
Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.038
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1.38
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoXP2P038 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised

Especificaciones técnicas

Tipo de Canal

Canal P

Intensidad Drenador Continua Id

5

Diseño de Transistor

SOT-23

Voltaje de Prueba Rds(on)

4.5

Disipación de Potencia

1.38

Temperatura de Trabajo Máx.

150

Calificación

-

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

20

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

0.038

Montaje de Transistor

Montaje Superficial

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

1

No. de Pines

3Pines

Rango de Producto

XP2P038 Series

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

To Be Advised

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Legislación y medioambiente

US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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