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PHD13003C,126
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 400 V, 1.5 A, 2.1 W, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricantePHD13003C,126
No. Parte Newark70R7415
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
No. Parte FabricantePHD13003C,126
No. Parte Newark70R7415
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo400V
Voltaje Máx. Colector a Emisor400
Corriente del Colector Continua1.5
Disipación de Potencia2.1
Disipación de Potencia Pd2.1W
Corriente de Colector DC1.5A
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE25hFE
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.25
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
400
Disipación de Potencia
2.1
Corriente de Colector DC
1.5A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
25
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
400V
Corriente del Colector Continua
1.5
Disipación de Potencia Pd
2.1W
Diseño de Transistor
TO-92
Ganancia de Corriente DC hFE
25hFE
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto