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MJD127T4G
Transistor Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pines
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD127T4G
No. Parte Newark90W4488
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.290 |
| 10+ | $0.850 |
| 25+ | $0.766 |
| 50+ | $0.683 |
| 100+ | $0.599 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD127T4G
No. Parte Newark90W4488
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia Pd20
Corriente del Colector Continua0
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC8
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
No. de Pines3Pines
Diseño de Transistor0
Ganancia de Corriente DC hFE1000
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100
Disipación de Potencia Pd
20
Disipación de Potencia
0
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
Diseño de Transistor
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Frecuencia de Transición
0
Corriente del Colector Continua
0
Corriente de Colector DC
8
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
1000
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD127T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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