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NVTFS5C680NLWFTAG
MOSFET, N-CH, 60V, 20A, 175DEG C ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVTFS5C680NLWFTAG
No. Parte Newark54AH9545
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.560 |
| 10+ | $1.080 |
| 25+ | $1.010 |
| 50+ | $0.942 |
| 100+ | $0.873 |
| 250+ | $0.802 |
| 500+ | $0.730 |
| 1000+ | $0.723 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVTFS5C680NLWFTAG
No. Parte Newark54AH9545
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022ohm
Diseño de TransistorWDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia20W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
WDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
Disipación de Potencia
20W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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