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NVD5117PLT4G-VF01
MOSFET, P-CH, 60V, 61A, 175DEG C, 118W
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVD5117PLT4G-VF01
No. Parte Newark54AH9518
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.770 |
| 10+ | $2.470 |
| 25+ | $2.220 |
| 50+ | $1.980 |
| 100+ | $1.730 |
| 250+ | $1.620 |
| 500+ | $1.510 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVD5117PLT4G-VF01
No. Parte Newark54AH9518
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id61A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.012ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia118W
Disipación de Potencia Pd118W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NVD5117PLT4G-VF01 es un MOSFET de potencia de canal P único.
- RDS bajo (activado) para minimizar las pérdidas de conducción
- Alta capacidad de corriente, energía de avalancha especificada
- Calificado AEC-Q101
- La corriente de drenaje continuo es de -61 A a (TC = 25 °C)
- El voltaje de ruptura entre drenaje y fuente es de -60V como mínimo a (VGS = 0V, ID = -250µA)
- La corriente de fuga de puerta a fuente es de 100nA como máximo en (VDS = 0V, VGS = 20V)
- La resistencia de drenaje a fuente es típica de 12 mohm en (VGS = -10V, ID = -29A)
- El tiempo de retardo de encendido es típico de 22ns en (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -29A, RG = 2.5 ohms)
- El tiempo de subida es típico de 195ns en (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -29A, RG = 2,5 ohms)
- Rango de temperatura de unión de -55 °C a 175 °C, paquete DPAK
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
118W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
61A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.012ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia Pd
118W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NVD5117PLT4G-VF01
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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