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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVSMG3700-GS08Copiar
No. Parte Newark31M2973
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Pico850
Ángulo de Intensidad Media60
Estilo de la Carcasa del DiodoLCC
Intensidad Radiante (Ie)10
Tiempo de Subida20
Tiempo de Descenso tf13
Corriente Directa If(AV)100
Voltaje Directo VF Máx.1.5
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q100
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jan-2020)
Resumen del producto
The VSMG3700-GS08 is a 850nm Infrared Emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It moulded in a PLCC-2 package for surface mounting (SMD). It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination) and high speed IR data transmission.
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±60° Angle of half sensitivity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- 18MHz High modulation bandwidth (fc)
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Pico
850
Estilo de la Carcasa del Diodo
LCC
Tiempo de Subida
20
Corriente Directa If(AV)
100
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q100
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Ángulo de Intensidad Media
60
Intensidad Radiante (Ie)
10
Tiempo de Descenso tf
13
Voltaje Directo VF Máx.
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jan-2020)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jan-2020)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
