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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteVS-GT200TS065S
No. Parte Newark11AM8543
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua476A
Voltaje de Saturación Colector Emisor-
Disipación de Potencia1kW
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorINT-A-PAK
Terminación del IGBTScrew
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Voltaje de Saturación Colector Emisor
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Screw
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench]
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
476A
Disipación de Potencia
1kW
Diseño de Transistor
INT-A-PAK
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto