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SUP60061EL-GE3
MOSFET, CANAL P, 80V, 150A, 175°C, 375W
Disponible para pedido
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.700 |
| 10+ | $5.130 |
| 25+ | $4.820 |
| 50+ | $4.500 |
| 100+ | $4.100 |
| 500+ | $3.810 |
| 1000+ | $3.460 |
| 2500+ | $3.280 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$5.70
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP60061EL-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark50AJ6137
Rango de ProductoTrenchFET
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id150A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5800µohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia375W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
150A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5800µohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
375W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza SUP60061EL-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto