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SUP57N20-33-E3
MOSFET, CANAL N, 200V, 57A, TO-220AB
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUP57N20-33-E3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante37 semanas
No. Parte Newark01AC5038
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id57
Resistencia de Activación Rds(on)0.027ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente27
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia300
Disipación de Potencia Pd300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET de canal N de 200 V (D-S) a 175 ° C adecuado para su uso en convertidores CD/CD aislados (interruptor del lado primario).
- MOSFET de potencia ThunderFET®
- Temperatura máxima de unión de 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.027ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
57
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
27
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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