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SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 50 A, 0.0088 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD50N04-8M8P-4GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark33P5650
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.625 |
| 5000+ | $0.594 |
| 7500+ | $0.563 |
| 12500+ | $0.552 |
| 25000+ | $0.540 |
| 62500+ | $0.533 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD50N04-8M8P-4GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante36 semanas
No. Parte Newark33P5650
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0.0069ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0088
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd48.1W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-252AA
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia48.1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
The SUD50N04-8M8P-4GE3 is a 40V N-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for backlight inverter for LCD display, DC to DC converter and full bridge converter applications.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- PWM Optimised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0069ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0088
Disipación de Potencia Pd
48.1W
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia
48.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SUD50N04-8M8P-4GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto