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SQS182ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 175C MOSFET POW
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQS182ELNW-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark11AN9574
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.490 |
| 50+ | $0.944 |
| 100+ | $0.636 |
| 250+ | $0.569 |
| 500+ | $0.502 |
| 1000+ | $0.459 |
| 2500+ | $0.432 |
| 5000+ | $0.404 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.49
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQS182ELNW-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark11AN9574
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id45A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0132ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-8SLW
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia65W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
45A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-8SLW
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
65W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0132ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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