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SQJQ160EL-T1_GE3
MOSFET, N-CHANNEL, 60V, 461A, POWERPAK
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJQ160EL-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark03AM8278
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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283 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.610 |
| 50+ | $2.400 |
| 100+ | $2.190 |
| 250+ | $2.030 |
| 500+ | $1.870 |
| 1000+ | $1.830 |
| 2500+ | $1.780 |
| 5000+ | $1.740 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJQ160EL-T1_GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante38 semanas
No. Parte Newark03AM8278
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id461A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente800µohm
Diseño de TransistorPowerPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia348W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
461A
Diseño de Transistor
PowerPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
348W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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