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SQJ118ELP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 36A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ118ELP-T1_GE3
No. Parte Newark03AM8280
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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48 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.870 |
| 10+ | $1.180 |
| 25+ | $1.050 |
| 50+ | $0.912 |
| 100+ | $0.780 |
| 250+ | $0.701 |
| 500+ | $0.622 |
| 1000+ | $0.527 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$9.35
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQJ118ELP-T1_GE3
No. Parte Newark03AM8280
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id36A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0192ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia75W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
36A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
75W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0192ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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