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SQ2325CES-T1_GE3
MOSFET, P-CH, 150V, 0.84A, TO-236 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ2325CES-T1_GE3
No. Parte Newark51AM4744
Rango de ProductoTrenchFET Series
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.692 |
| 10+ | $0.614 |
| 25+ | $0.545 |
| 50+ | $0.462 |
| 100+ | $0.395 |
| 250+ | $0.340 |
| 500+ | $0.289 |
| 1000+ | $0.246 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$3.46
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSQ2325CES-T1_GE3
No. Parte Newark51AM4744
Rango de ProductoTrenchFET Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id840mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.77ohm
Diseño de TransistorTO-236
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
840mA
Diseño de Transistor
TO-236
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.77ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
TrenchFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto