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SIZF906DDT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 257A, POWERPAIRF
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF906DDT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante45 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo08AM4445
Re-reeling (Rollos a medida)08AM4444RL
Cinta adhesiva08AM4444
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
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4,100 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.320 | $11.60 |
| Total Precio | $11.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.320 |
| 10+ | $2.230 |
| 25+ | $2.080 |
| 50+ | $1.900 |
| 100+ | $1.730 |
| 250+ | $1.540 |
| 500+ | $1.330 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 6000+ | $1.010 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF906DDT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante45 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo08AM4445
Re-reeling (Rollos a medida)08AM4444RL
Cinta adhesiva08AM4444
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N257A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente900µohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAIR F
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N83W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
257A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
900µohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR F
Disipación de Potencia de Canal N
83W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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