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SIZF4800LDT-T1-GE3
MOSFET DUAL, CANAL N, 80V36A/POWERPAIR
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF4800LDT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante55 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79AK7544RL
Cinta adhesiva79AK7544
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Su número de pieza
Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.240 | $3.24 |
| Total Precio | $3.24 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.240 |
| 50+ | $1.630 |
| 100+ | $1.430 |
| 250+ | $1.300 |
| 500+ | $1.160 |
| 1000+ | $1.090 |
| 2500+ | $1.020 |
| 5000+ | $0.949 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIZF4800LDT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante55 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)79AK7544RL
Cinta adhesiva79AK7544
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N80V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N36A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.016ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorPowerPAIR 3 x 3FS
No. de Pines12Pines
Disipación de Potencia de Canal N56.8W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
12Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
80V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
36A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.016ohm
Diseño de Transistor
PowerPAIR 3 x 3FS
Disipación de Potencia de Canal N
56.8W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto