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SISS64DN-T1-GE3
MOSFET, CANAL N, 30V, 40A, 150°C, 57W
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS64DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81AC2797RL
Cinta adhesiva81AC2797
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 56 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.490 | $2.49 |
| Total Precio | $2.49 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.490 |
| 50+ | $1.680 |
| 100+ | $1.210 |
| 250+ | $1.110 |
| 500+ | $1.010 |
| 1000+ | $0.948 |
| 2500+ | $0.920 |
| 5000+ | $0.892 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS64DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81AC2797RL
Cinta adhesiva81AC2797
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2100µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia57W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
Disipación de Potencia
57W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza SISS64DN-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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