Imprimir página
SISS54DN-T1-GE3
MOSFET CANAL N/30V/185.6A/POWERPAK12128S
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS54DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)37AJ9084RL
Cinta adhesiva37AJ9084
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Su número de pieza
1,770 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.850 | $2.85 |
| Total Precio | $2.85 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.850 |
| 50+ | $1.940 |
| 100+ | $1.410 |
| 250+ | $1.300 |
| 500+ | $1.180 |
| 1000+ | $1.110 |
| 2500+ | $1.090 |
| 5000+ | $1.070 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSISS54DN-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante25 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)37AJ9084RL
Cinta adhesiva37AJ9084
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id185.6A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1060µohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia65.7W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
65.7W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
185.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1060µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto