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SIS435DNT-T1-GE3
P-CH THIN POWERPAK1212 BWL 20V 5.4MO
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS435DNT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark11AN9245
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
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2,696 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.540 |
| 50+ | $0.780 |
| 100+ | $0.705 |
| 250+ | $0.640 |
| 500+ | $0.575 |
| 1000+ | $0.564 |
| 2500+ | $0.552 |
| 5000+ | $0.541 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.54
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIS435DNT-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante39 semanas
No. Parte Newark11AN9245
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0054ohm
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900mV
Disipación de Potencia39W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen III Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
39W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0054ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900mV
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen III Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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