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SIRS4400DP-T1-RE3
MOSFET CANAL N, 40V/440A, POWERPAK SO-8S
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRS4400DP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark79AK7535
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.410 |
| 10+ | $4.520 |
| 25+ | $4.160 |
| 50+ | $3.810 |
| 100+ | $3.450 |
| 250+ | $3.320 |
| 500+ | $3.190 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$6.41
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRS4400DP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark79AK7535
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id440A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente690µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3V
Disipación de Potencia240W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
440A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
240W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
690µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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