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SIRA32DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 25V, 185A, POWERPAK SO-8S ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA32DP-T1-RE3
No. Parte Newark80AK5271
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
5,140 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.480 |
| 10+ | $1.060 |
| 25+ | $0.995 |
| 50+ | $0.930 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA32DP-T1-RE3
No. Parte Newark80AK5271
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id185A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1200µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia65.7W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
185A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
65.7W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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