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SIRA26DP-T1-RE3
MOSFET CANAL N, 25V/60A POWERPAK SO-8S
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark80AK5270
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.490 |
| 10+ | $0.943 |
| 25+ | $0.849 |
| 50+ | $0.754 |
| 100+ | $0.660 |
| 250+ | $0.601 |
| 500+ | $0.541 |
| 1000+ | $0.488 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA26DP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante56 semanas
No. Parte Newark80AK5270
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2650µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia43.1W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
43.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2650µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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