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SIRA12DDP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 81A, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA12DDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante46 semanas
No. Parte Newark85AK4797
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.090 |
| 10+ | $0.797 |
| 25+ | $0.705 |
| 50+ | $0.612 |
| 100+ | $0.520 |
| 250+ | $0.449 |
| 500+ | $0.378 |
| 1000+ | $0.333 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA12DDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante46 semanas
No. Parte Newark85AK4797
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id81A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3600µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia38W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
81A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
38W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3600µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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