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SIRA10DDP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 96A, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA10DDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante46 semanas
No. Parte Newark85AK4796
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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5,923 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.130 |
| 10+ | $0.721 |
| 25+ | $0.647 |
| 50+ | $0.572 |
| 100+ | $0.498 |
| 250+ | $0.452 |
| 500+ | $0.406 |
| 1000+ | $0.370 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA10DDP-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante46 semanas
No. Parte Newark85AK4796
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id96A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3100µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia43W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
96A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
43W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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