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SIRA06DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 40 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA06DP-T1-GE3
No. Parte Newark68W7081
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| Cantidad | Precio |
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| 50+ | $1.010 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIRA06DP-T1-GE3
No. Parte Newark68W7081
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id40
Resistencia de Activación Rds(on)0.00205ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0025
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd62.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.1
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Disipación de Potencia62.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Alternativas para el número de pieza SIRA06DP-T1-GE3
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Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.00205ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0025
Disipación de Potencia Pd
62.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.1
Disipación de Potencia
62.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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