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SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET, CANAL P, -30V, -60A, POWERPAK SO
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| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SIRA01DP-T1-GE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 56 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo86AK6220 Re-reeling (Rollos a medida)50AC9654RL Cinta adhesiva50AC9654 |
| Rango de Producto | TrenchFET Gen IV |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
3,379 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.680 | $13.40 |
| Total Precio | $13.40 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.680 |
| 10+ | $1.420 |
| 15+ | $1.390 |
| 25+ | $1.360 |
| 50+ | $1.330 |
| 125+ | $1.300 |
| 250+ | $1.270 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.866 |
| 6000+ | $0.838 |
| 9000+ | $0.779 |
| 15000+ | $0.720 |
| 30000+ | $0.701 |
| 75000+ | $0.689 |
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | SIRA01DP-T1-GE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 56 semanas |
| No. Parte Newark | Hilado completo86AK6220 Re-reeling (Rollos a medida)50AC9654RL Cinta adhesiva50AC9654 |
| Rango de Producto | TrenchFET Gen IV |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Tipo de Canal | P Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 30V |
| Intensidad Drenador Continua Id | 60A |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 4900µohm |
| Diseño de Transistor | PowerPAK SO |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 2.2V |
| Disipación de Potencia | 62.5W |
| No. de Pines | 8Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Rango de Producto | TrenchFET Gen IV |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 30V |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | PowerPAK SO |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 2.2V |
| No. de Pines | 8Pines |
| Rango de Producto | TrenchFET Gen IV |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 1 - Unlimited |
| Tipo de Canal | P Channel |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 60A |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 4900µohm |
| Montaje de Transistor | Surface Mount |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10V |
| Disipación de Potencia | 62.5W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150°C |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SIRA01DP-T1-GE3
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | Unknown |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |