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SIR800ADP-T1-RE3
MOSFET CANAL N, 20V, 177A POWERPAK SO-8S
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR800ADP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark80AK5274
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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1,820 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.570 |
| 10+ | $1.020 |
| 25+ | $0.924 |
| 50+ | $0.833 |
| 100+ | $0.741 |
| 250+ | $0.678 |
| 500+ | $0.614 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.57
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR800ADP-T1-RE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark80AK5274
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id177A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1350µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO-8S
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia62.5W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
177A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO-8S
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
62.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1350µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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