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SIR180ADP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 60V, 137A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR180ADP-T1-RE3
No. Parte Newark81AH9257
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.480 |
| 10+ | $1.790 |
| 25+ | $1.690 |
| 50+ | $1.580 |
| 100+ | $1.480 |
| 250+ | $1.370 |
| 500+ | $1.270 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIR180ADP-T1-RE3
No. Parte Newark81AH9257
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id137A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2200µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6V
Disipación de Potencia83.3W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerPAK SO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83.3W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
137A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2200µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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