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SIJ4106DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 59A, POWERPAK SO-8L ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJ4106DP-T1-GE3
No. Parte Newark79AK7533
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.790 |
| 10+ | $1.910 |
| 25+ | $1.740 |
| 50+ | $1.570 |
| 100+ | $1.400 |
| 250+ | $1.290 |
| 500+ | $1.180 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIJ4106DP-T1-GE3
No. Parte Newark79AK7533
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id59A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8300µohm
Diseño de TransistorPowerPAK SO-8L
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.8V
Disipación de Potencia69.4W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
59A
Diseño de Transistor
PowerPAK SO-8L
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
69.4W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.8V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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