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SIHP054N65E-GE3
MOSFET, CANAL N, 650V, 47A, ITO-220AB
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $9.880 | $9.88 |
| Total Precio | $9.88 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.880 |
| 50+ | $6.780 |
| 100+ | $5.110 |
| 250+ | $5.020 |
| 500+ | $4.920 |
| 1000+ | $4.830 |
| 2500+ | $4.730 |
| 5000+ | $4.640 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHP054N65E-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)78AK8562RL
Cinta adhesiva78AK8562
Rango de ProductoE Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id47A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.058ohm
Diseño de TransistorITO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia312W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
47A
Diseño de Transistor
ITO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
312W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.058ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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