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SIHL039N60E-GE3
MOSFET, N-CH, 650V, 62A, TO-247AD
Disponible para pedido
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $11.840 |
| 10+ | $8.610 |
| 25+ | $7.960 |
| 50+ | $7.310 |
| 100+ | $6.660 |
| 250+ | $6.570 |
| 500+ | $6.480 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$11.84
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHL039N60E-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark51AM4556
Rango de ProductoE Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id62A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.039ohm
Diseño de TransistorTO-247AD
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia357W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
62A
Diseño de Transistor
TO-247AD
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
357W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.039ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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