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SIHH190N65E-T1-GE3
MOSFET, N-CHANNEL, 650V, 17A, POWERPAK
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.960 |
| 50+ | $1.570 |
| 100+ | $1.350 |
| 250+ | $1.170 |
| 500+ | $0.984 |
| 1000+ | $0.844 |
| 2500+ | $0.653 |
| 5000+ | $0.611 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHH190N65E-T1-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark03AM8269
Rango de ProductoE Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id17A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm
Diseño de TransistorPowerPAK
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia130W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17A
Diseño de Transistor
PowerPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
130W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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