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SIHG28N65EF-GE3
MOSFET, CANAL N, 650V, 28A, TO-247AC
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $8.260 | $8.26 |
| Total Precio | $8.26 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.260 |
| 50+ | $5.530 |
| 100+ | $4.450 |
| 250+ | $4.000 |
| 500+ | $3.550 |
| 1000+ | $3.480 |
| 2500+ | $3.410 |
| 5000+ | $3.340 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHG28N65EF-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)80AK5263RL
Cinta adhesiva80AK5263
Rango de ProductoE Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id28A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.117ohm
Diseño de TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia250W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
28A
Diseño de Transistor
TO-247AC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.117ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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