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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.060 |
| 10+ | $1.460 |
| 25+ | $1.420 |
| 50+ | $1.370 |
| 100+ | $1.330 |
| 250+ | $1.240 |
| 500+ | $1.140 |
| 1000+ | $0.989 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIHD14N60E-GE3
No. Parte Newark80AK5262
Rango de ProductoE Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id13A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.309ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia147W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoE Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
13A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
147W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.309ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
E Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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