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SIEH4800EW-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 80V, 381A, POWERPAK BWL ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIEH4800EW-T1-GE3
No. Parte Newark08AM4440
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Su número de pieza
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.680 |
| 10+ | $8.230 |
| 25+ | $7.820 |
| 50+ | $7.270 |
| 100+ | $6.690 |
| 250+ | $5.980 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $4.080 |
| 4000+ | $3.970 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIEH4800EW-T1-GE3
No. Parte Newark08AM4440
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id381A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1150µohm
Diseño de TransistorPowerPAK BWL
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia417W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
381A
Diseño de Transistor
PowerPAK BWL
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
417W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1150µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
TrenchFET Gen IV Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Alternativas para el número de pieza SIEH4800EW-T1-GE3
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
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